Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4010TRLPBF
IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+87.46 грн
1600+82.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4010TRLPBF за ціною від 82.48 грн до 301.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.85 грн
1600+97.54 грн
2400+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.10 грн
1600+92.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.60 грн
1600+99.59 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4010-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+100.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+107.84 грн
1600+106.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.87 грн
250+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 13266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.22 грн
10+163.87 грн
100+114.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4010-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.54 грн
10+176.52 грн
100+110.73 грн
500+100.81 грн
800+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+296.23 грн
64+193.91 грн
100+162.56 грн
500+130.49 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.55 грн
10+194.47 грн
50+167.05 грн
100+128.87 грн
250+116.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BD2687D720A745&compId=IRFS4010TRLPBF.pdf?ci_sign=496ea67e3c29131ec26750b00389f7c763cf8c45 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.