Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4010TRLPBF
IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+96.01 грн
1600+86.20 грн
2400+83.02 грн
4000+75.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm.

Інші пропозиції IRFS4010TRLPBF за ціною від 105.87 грн до 337.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+111.56 грн
1600+111.21 грн
2400+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+112.99 грн
1600+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+114.69 грн
1600+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.32 грн
1600+119.20 грн
2400+117.16 грн
4000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+130.64 грн
1600+119.49 грн
2400+117.44 грн
4000+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 46064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+135.24 грн
1000+128.18 грн
10000+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+199.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+270.56 грн
10+170.58 грн
100+119.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+293.62 грн
65+219.86 грн
108+131.70 грн
800+122.15 грн
1600+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+337.75 грн
64+221.09 грн
100+185.34 грн
500+148.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF INFINEON irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+111.56 грн
1600+111.21 грн
2400+110.64 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+112.99 грн
1600+105.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+114.69 грн
1600+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+130.32 грн
1600+119.20 грн
2400+117.16 грн
4000+109.32 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+130.64 грн
1600+119.49 грн
2400+117.44 грн
4000+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 46064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.47 грн
500+135.24 грн
1000+128.18 грн
10000+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
246+143.47 грн
500+135.24 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+199.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+270.56 грн
10+170.58 грн
100+119.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+293.62 грн
65+219.86 грн
108+131.70 грн
800+122.15 грн
1600+110.35 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+337.75 грн
64+221.09 грн
100+185.34 грн
500+148.78 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4010TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
IRFS4010TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.