Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4010TRLPBF
IRFS4010TRLPBF

IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.84 грн
1600+84.25 грн
2400+81.14 грн
4000+73.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS4010TRLPBF за ціною від 82.75 грн до 333.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 92800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.31 грн
1600+109.97 грн
2400+109.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.73 грн
1600+104.69 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.41 грн
1600+112.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.92 грн
1600+114.29 грн
2400+112.71 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+122.04 грн
250+110.57 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+156.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4010TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+194.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636cbd72187 Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.43 грн
10+166.72 грн
100+116.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4010_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.84 грн
10+165.54 грн
100+106.40 грн
500+98.05 грн
800+82.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS11704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+312.35 грн
10+190.66 грн
50+165.51 грн
100+130.33 грн
250+118.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+333.98 грн
64+218.62 грн
100+183.27 грн
500+147.12 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4010TRLPBF IRFS4010TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4010pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.