IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 86.67 грн |
| 1600+ | 81.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4010TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4010TRLPBF за ціною від 82.26 грн до 300.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 92800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4010TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V |
на замовлення 13430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC Qg |
на замовлення 761 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4010TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 4700 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFS4010TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFS4010TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 143nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |