IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 90.19 грн |
| 1600+ | 83.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 79.33 грн до 404.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
на замовлення 7693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |