Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4115TRLPBF
IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.96 грн
1600+86.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 86.07 грн до 379.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+96.36 грн
1600+87.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.18 грн
1600+94.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+128.11 грн
500+122.01 грн
1000+114.89 грн
10000+103.93 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+128.11 грн
500+122.01 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+128.11 грн
500+122.01 грн
1000+114.89 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+133.29 грн
250+120.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 8231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.59 грн
10+169.23 грн
100+118.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4115-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.35 грн
10+188.32 грн
100+115.01 грн
500+101.30 грн
800+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+309.91 грн
61+202.54 грн
100+195.22 грн
200+132.48 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+311.01 грн
10+204.20 грн
50+174.30 грн
100+133.29 грн
250+120.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+379.80 грн
34+363.48 грн
50+349.63 грн
100+325.71 грн
250+292.43 грн
500+273.10 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.