IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 107.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 82.28 грн до 439.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg |
на замовлення 6735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 111.19 грн |
| 1600+ | 106.79 грн |
| 2400+ | 105.96 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 111.33 грн |
| 1600+ | 106.93 грн |
| 2400+ | 106.10 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 189.34 грн |
| 500+ | 170.52 грн |
| 1000+ | 157.58 грн |
| 10000+ | 134.95 грн |
| 100000+ | 104.82 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 189.34 грн |
| 500+ | 170.52 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 187+ | 189.34 грн |
| 500+ | 170.52 грн |
| 1000+ | 157.58 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 272.39 грн |
| 10+ | 175.50 грн |
| 100+ | 114.63 грн |
| 500+ | 82.28 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 305.39 грн |
| 10+ | 192.07 грн |
| 100+ | 134.19 грн |
| IRFS4115TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 439.29 грн |
| 34+ | 420.42 грн |
| 50+ | 404.39 грн |
| 100+ | 376.72 грн |
| 250+ | 338.23 грн |
| 500+ | 315.87 грн |


