Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4115TRLPBF
IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.77 грн
1600+81.48 грн
2400+78.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 80.81 грн до 402.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.93 грн
1600+97.89 грн
2400+97.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.35 грн
1600+105.02 грн
2400+104.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+125.71 грн
250+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+173.56 грн
500+156.31 грн
1000+144.45 грн
10000+123.70 грн
100000+96.08 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+173.56 грн
500+156.31 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
187+173.56 грн
500+156.31 грн
1000+144.45 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 3846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.42 грн
10+161.47 грн
100+112.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4115-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 6735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.53 грн
10+172.36 грн
100+112.58 грн
500+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+293.32 грн
10+192.59 грн
50+164.39 грн
100+125.71 грн
250+113.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+328.57 грн
61+214.74 грн
100+211.29 грн
200+142.20 грн
500+125.80 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+402.68 грн
34+385.38 грн
50+370.69 грн
100+345.33 грн
250+310.05 грн
500+289.55 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF Виробник : International Rectifier/Infineon irfs4115pbf.pdf N-канальний ПТ, Id = 195 A, Ptot, Вт = 375, Udss, В = 150, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 5270 @ 50, Qg, нКл = 120 @ 10 В, Rds = 12.1 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. в
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.