Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4115TRLPBF
IRFS4115TRLPBF

IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+95.91 грн
1600+88.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4115TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4115TRLPBF за ціною від 87.73 грн до 387.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.09 грн
1600+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+106.49 грн
1600+104.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4115-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+130.58 грн
500+124.36 грн
1000+117.11 грн
10000+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+130.58 грн
500+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
239+130.58 грн
500+124.36 грн
1000+117.11 грн
Мінімальне замовлення: 239
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+135.86 грн
250+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Description: MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5270 pF @ 50 V
на замовлення 7693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.13 грн
10+174.84 грн
100+122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4115-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 99A 12.1mOhm 77nC Qg
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+297.98 грн
10+191.95 грн
100+117.23 грн
500+113.34 грн
800+87.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+315.88 грн
61+206.44 грн
100+203.12 грн
200+136.71 грн
500+120.94 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838843-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4115TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 195 A, 0.0121 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+317.00 грн
10+208.14 грн
50+177.66 грн
100+135.86 грн
250+123.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+387.12 грн
34+370.49 грн
50+356.37 грн
100+331.99 грн
250+298.07 грн
500+278.36 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irl8113pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 150V 195A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4115TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4115pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636e5d2218f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 70A; Idm: 396A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 396A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.