Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFS4127PBF
IRFS4127PBF

IRFS4127PBF

irfs4127pbf-datasheet.pdf
Код товару: 99017
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IR
Корпус: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 72 A
Rds(on), Ohm: 18,6 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5380/100
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4127PBF IR

  • MOSFET,N-CH 200V 72A D2PAK
  • Transistor Type:Power MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Cont Current Id:44A
  • On State Resistance:22mohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:5V
  • Case Style:D2-PAK
  • Termination Type:SMD
  • Operating Temperature Range:-55`C to +175`C
  • Max Voltage Vgs th:5V
  • No. of Pins:3
  • Power Dissipation Pd:375W
  • Transistor Case Style:D2-PAK

Інші пропозиції IRFS4127PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS4127PBF IRFS4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 description Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBF IRFS4127PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3166473.pdf description MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBF description irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
IRFS4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127PBF description Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3166473.pdf
IRFS4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET SWITCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.