Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4127TRLPBF
IRFS4127TRLPBF

IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies

irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+90.83 грн
1600+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4127TRLPBF за ціною від 86.78 грн до 287.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
118+103.97 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.67 грн
1600+98.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4127-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.61 грн
1600+105.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+130.46 грн
500+124.34 грн
1000+117.21 грн
10000+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+130.46 грн
500+124.34 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.72 грн
9+110.83 грн
23+105.33 грн
200+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF
Код товару: 147925
Додати до обраних Обраний товар

irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 11674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.31 грн
10+161.22 грн
100+118.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4127-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 2281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.80 грн
10+176.16 грн
25+149.41 грн
100+114.70 грн
800+86.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
44+283.66 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 72A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.46 грн
9+138.11 грн
23+126.40 грн
200+121.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+287.81 грн
10+187.08 грн
50+165.07 грн
100+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.