Інші пропозиції IRFS4127TRLPBF за ціною від 83.93 грн до 379.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 28800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 72A Power dissipation: 375W |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 3159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|





