Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFS4127TRLPBF

IRFS4127TRLPBF

irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
Код товару: 147925
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFS4127TRLPBF за ціною від 83.70 грн до 387.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+96.70 грн
1600+86.88 грн
2400+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.47 грн
1600+121.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.54 грн
1600+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+135.84 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.05 грн
10+171.04 грн
100+119.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+387.37 грн
39+370.73 грн
50+356.61 грн
100+332.21 грн
250+298.27 грн
500+278.54 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+96.70 грн
1600+86.88 грн
2400+83.70 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
122+116.56 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+120.36 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+122.47 грн
1600+121.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+123.54 грн
1600+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+151.20 грн
500+144.11 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
235+151.20 грн
500+144.11 грн
1000+135.84 грн
10000+123.02 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+171.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.05 грн
10+171.04 грн
100+119.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF irfs4127pbf.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+387.37 грн
39+370.73 грн
50+356.61 грн
100+332.21 грн
250+298.27 грн
500+278.54 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4127TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4127TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4127TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.