
IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 84.31 грн |
10+ | 82.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.0186 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4127TRLPBF за ціною від 79.63 грн до 278.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
IRFS4127TRLPBF Код товару: 147925
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 72A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0186ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 511 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 27200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V |
на замовлення 14005 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 4129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFS4127TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 72A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |