Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4127TRLPBF
IRFS4127TRLPBF

IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies

irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.86 грн
1600+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4127TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4127TRLPBF за ціною від 80.73 грн до 355.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+106.85 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+112.28 грн
1600+111.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.22 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.34 грн
1600+120.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+138.61 грн
500+132.11 грн
1000+124.53 грн
10000+112.78 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
235+138.61 грн
500+132.11 грн
Мінімальне замовлення: 235
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+157.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 9451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.67 грн
10+161.83 грн
100+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC Qg
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.62 грн
10+164.69 грн
100+106.70 грн
500+81.43 грн
800+80.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838605-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4127TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 72 A, 0.022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+284.19 грн
10+185.09 грн
50+180.18 грн
100+129.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+355.12 грн
39+339.87 грн
50+326.91 грн
100+304.55 грн
250+273.43 грн
500+255.35 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF
Код товару: 147925
Додати до обраних Обраний товар

irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.