Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4227TRLPBF
IRFS4227TRLPBF

IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.34 грн
1600+66.64 грн
2400+66.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4227TRLPBF за ціною від 63.76 грн до 285.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+80.40 грн
1600+79.70 грн
2400+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+81.05 грн
1600+78.75 грн
2400+77.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.67 грн
1600+63.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 32800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.68 грн
1600+84.22 грн
2400+83.39 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+108.69 грн
250+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.96 грн
1600+65.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+111.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+149.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+161.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+197.66 грн
87+140.72 грн
100+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.45 грн
10+138.76 грн
100+96.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4227-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.15 грн
10+154.16 грн
100+93.68 грн
500+76.93 грн
800+66.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+231.97 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+233.25 грн
10+167.46 грн
50+142.69 грн
100+108.69 грн
250+98.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+285.04 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C8327D1226F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4227pbf.pdf?ci_sign=ba7e3a94bc4be1c6dca7d3cb57bd4f88452d247b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C8327D1226F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4227pbf.pdf?ci_sign=ba7e3a94bc4be1c6dca7d3cb57bd4f88452d247b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.