Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4227TRLPBF
IRFS4227TRLPBF

IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+114.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.

Інші пропозиції IRFS4227TRLPBF за ціною від 108.08 грн до 340.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+124.17 грн
2400+108.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+147.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+280.94 грн
55+270.23 грн
100+261.06 грн
250+244.10 грн
500+219.88 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+307.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.47 грн
10+214.74 грн
50+167.46 грн
100+142.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies infineon_irfs4227_datasheet_en.pdf MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+340.39 грн
10+172.46 грн
100+135.86 грн
500+109.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF International Rectifier HiRel Products irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b IRFS4227TRLPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+197.32 грн
500+187.57 грн
1000+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+122.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+124.17 грн
2400+108.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+147.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 68800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+154.14 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+280.94 грн
55+270.23 грн
100+261.06 грн
250+244.10 грн
500+219.88 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+307.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
48+307.74 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 2596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.47 грн
10+214.74 грн
50+167.46 грн
100+142.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF infineon_irfs4227_datasheet_en.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
на замовлення 7504 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.39 грн
10+172.46 грн
100+135.86 грн
500+109.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b
Виробник: International Rectifier HiRel Products
IRFS4227TRLPBF
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
186+197.32 грн
500+187.57 грн
1000+176.61 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.