Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4227TRLPBF
IRFS4227TRLPBF

IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+72.31 грн
1600+64.73 грн
2400+64.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4227TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4227TRLPBF за ціною від 61.71 грн до 303.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.63 грн
1600+84.88 грн
2400+84.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 28800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.78 грн
2400+86.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.93 грн
2400+86.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.04 грн
1600+67.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 31200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+93.41 грн
2400+93.01 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.11 грн
1600+70.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+158.76 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+172.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4227_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg
на замовлення 6683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.75 грн
10+142.08 грн
100+86.35 грн
500+70.90 грн
800+61.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639ef64219b Description: MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 4635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.60 грн
10+134.76 грн
100+93.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
54+240.84 грн
75+173.26 грн
100+165.47 грн
500+120.02 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+269.23 грн
51+258.97 грн
100+250.18 грн
250+233.93 грн
500+210.71 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4227-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+303.58 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012837601-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4227TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.026 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4227pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.