IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies


irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+120.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4229TRLPBF за ціною від 107.79 грн до 326.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+123.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+132.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+161.09 грн
77+158.66 грн
200+157.85 грн
1600+145.19 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+169.95 грн
10+107.79 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+179.98 грн
250+162.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.33 грн
10+196.76 грн
100+139.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4229_DataSheet_v01_01_EN-3363308.pdf MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.87 грн
10+223.96 грн
100+137.64 грн
800+136.91 грн
2400+133.25 грн
4800+110.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+322.87 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.042 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.06 грн
10+262.82 грн
50+228.32 грн
100+179.98 грн
250+162.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4229pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4229pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.