IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfs4229-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+114.27 грн
2400+99.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 330W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm.

Інші пропозиції IRFS4229TRLPBF за ціною від 111.16 грн до 435.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+169.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+180.35 грн
500+170.86 грн
1000+161.36 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.93 грн
10+199.06 грн
50+154.82 грн
100+131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.42 грн
10+239.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+372.85 грн
10+240.53 грн
100+155.77 грн
500+130.91 грн
800+120.67 грн
2400+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.34 грн
10+280.50 грн
100+205.41 грн
500+195.53 грн
800+152.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.34 грн
51+280.50 грн
100+205.41 грн
500+195.53 грн
800+152.15 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+435.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+169.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+169.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
198+180.35 грн
500+170.86 грн
1000+161.36 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineon-irfs4229-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 3706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.93 грн
10+199.06 грн
50+154.82 грн
100+131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+328.42 грн
10+239.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF Infineon-IRFS4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+372.85 грн
10+240.53 грн
100+155.77 грн
500+130.91 грн
800+120.67 грн
2400+111.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+414.34 грн
10+280.50 грн
100+205.41 грн
500+195.53 грн
800+152.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+414.34 грн
51+280.50 грн
100+205.41 грн
500+195.53 грн
800+152.15 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+435.34 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.