Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4229TRLPBF
IRFS4229TRLPBF

IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+110.98 грн
1600+105.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4229TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 45A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4229TRLPBF за ціною від 105.12 грн до 458.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+116.36 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4229-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+129.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+156.66 грн
250+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+169.46 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
71+177.21 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+178.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535639fdc421a1 Description: MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.92 грн
10+199.02 грн
100+140.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS4229-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 250V 45A 48mOhm 72nC Qg
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+319.58 грн
10+213.54 грн
100+134.28 грн
800+105.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0005253093-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4229TRLPBF - Leistungs-MOSFET, PDP-Schalter, n-Kanal, 250 V, 45 A, 0.048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+342.58 грн
10+232.40 грн
50+200.56 грн
100+156.66 грн
250+141.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+458.93 грн
29+439.21 грн
50+422.48 грн
100+393.57 грн
250+353.36 грн
500+330.00 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineonirfs4229datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 45A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C86ABB5A59F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4229pbf.pdf?ci_sign=610a1310601004a142c32c1e433d2c89212cbf1e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.