Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4310TRLPBF
IRFS4310TRLPBF

IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+95.58 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFS4310TRLPBF за ціною від 133.81 грн до 345.4 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+134.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+145.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+157.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+162.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+178.82 грн
1600+ 147.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+195.57 грн
250+ 170.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+233.33 грн
56+ 215.22 грн
58+ 208.6 грн
100+ 149.46 грн
Мінімальне замовлення: 52
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+296.07 грн
10+ 263.26 грн
25+ 249.7 грн
100+ 203.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 1814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+296.14 грн
10+ 239.45 грн
100+ 193.72 грн
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN-3363331.pdf MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 5914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.28 грн
10+ 263.01 грн
25+ 215.74 грн
100+ 187.75 грн
250+ 185.7 грн
500+ 159.75 грн
800+ 133.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+318.85 грн
43+ 283.51 грн
45+ 268.91 грн
100+ 219.08 грн
Мінімальне замовлення: 38
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+344.02 грн
42+ 291.17 грн
55+ 221.37 грн
100+ 212.5 грн
200+ 185.18 грн
500+ 156.41 грн
Мінімальне замовлення: 35
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+345.4 грн
10+ 245.84 грн
50+ 228.23 грн
100+ 195.57 грн
250+ 170.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній