IRFS4310TRLPBF

IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies


irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4310TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4310TRLPBF за ціною від 119.92 грн до 343.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+124.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+133.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+133.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+149.44 грн
250+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
175+174.88 грн
500+167.76 грн
1000+158.61 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+284.69 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a0e2e21a7 Description: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+329.47 грн
10+209.98 грн
100+148.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838708-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0056ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+331.76 грн
10+231.08 грн
50+229.43 грн
100+149.44 грн
250+135.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310_DataSheet_v01_01_EN-3363331.pdf MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+343.32 грн
10+235.20 грн
25+203.05 грн
100+142.72 грн
800+119.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.