Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

irfb4310zpbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+85.41 грн
2400+70.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm.

Інші пропозиції IRFS4310ZTRLPBF за ціною від 81.19 грн до 303.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+107.46 грн
1600+96.46 грн
2400+92.89 грн
4000+83.42 грн
5600+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+243.81 грн
90+157.82 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.66 грн
10+191.01 грн
100+133.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF INFINEON irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+107.46 грн
1600+96.46 грн
2400+92.89 грн
4000+83.42 грн
5600+81.19 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
114+124.35 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
59+243.81 грн
90+157.82 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.66 грн
10+191.01 грн
100+133.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.