IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 70.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4310ZTRLPBF за ціною від 61.33 грн до 244.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V |
на замовлення 1476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFS4310ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |