Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.06 грн
2400+64.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4310ZTRLPBF за ціною від 63.34 грн до 315.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.61 грн
2400+69.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.70 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+109.59 грн
250+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+114.97 грн
1600+108.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
99+123.64 грн
112+109.81 грн
122+100.05 грн
500+85.49 грн
1600+78.44 грн
3200+69.72 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0048 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+221.18 грн
10+143.60 грн
50+131.22 грн
100+109.59 грн
250+99.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN-3363366.pdf MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.16 грн
10+146.36 грн
100+105.20 грн
500+88.28 грн
800+63.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.94 грн
10+200.47 грн
100+141.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4310z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.