Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4310ZTRLPBF
IRFS4310ZTRLPBF

IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+71.18 грн
1600+63.61 грн
2400+61.10 грн
4000+54.69 грн
5600+53.13 грн
8000+53.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS4310ZTRLPBF за ціною від 60.40 грн до 226.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+124.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.75 грн
10+131.31 грн
100+84.58 грн
500+71.89 грн
800+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.54 грн
10+130.03 грн
100+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF IRFS4310ZTRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+148.01 грн
50+129.10 грн
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
114+124.08 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF Infineon_IRFS4310Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.75 грн
10+131.31 грн
100+84.58 грн
500+71.89 грн
800+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
на замовлення 8854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.54 грн
10+130.03 грн
100+89.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310ZTRLPBF INFN-S-A0012838106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4310ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4310ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 6000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+226.95 грн
10+148.01 грн
50+129.10 грн
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.