IRFS4321PBF Infineon


irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad
Виробник: Infineon

на замовлення 1100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4321PBF Infineon

Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: D2PAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 350W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFS4321PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS4321PBF IRFS4321PBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBF IRFS4321PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN-1732854.pdf MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBF irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321PBF Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN-1732854.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 150V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 71nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.