Технічний опис IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4321TRLPBF за ціною від 100.35 грн до 333.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Drain current: 83A Power dissipation: 330W |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V |
на замовлення 25679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg |
на замовлення 3470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFS4321TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 122.89 грн |
| 1600+ | 110.81 грн |
| 2400+ | 106.98 грн |
| 4000+ | 100.35 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 128.49 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.17 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.33 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 145.17 грн |
| 500+ | 138.15 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 242+ | 145.17 грн |
| 500+ | 138.15 грн |
| 1000+ | 129.95 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 173.84 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 242.13 грн |
| 10+ | 159.77 грн |
| 20+ | 144.13 грн |
| 50+ | 126.83 грн |
| 100+ | 115.30 грн |
| 200+ | 104.59 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 278.17 грн |
| 72+ | 196.69 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 310.82 грн |
| 64+ | 220.25 грн |
| 65+ | 218.05 грн |
| 112+ | 121.34 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 333.29 грн |
| 10+ | 212.36 грн |
| 100+ | 150.59 грн |
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4321TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








