IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies


irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+109.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4321TRLPBF за ціною від 100.35 грн до 333.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+122.89 грн
1600+110.81 грн
2400+106.98 грн
4000+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+133.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.17 грн
500+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.17 грн
500+138.15 грн
1000+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs4321-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+173.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4321TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+242.13 грн
10+159.77 грн
20+144.13 грн
50+126.83 грн
100+115.30 грн
200+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+278.17 грн
72+196.69 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+310.82 грн
64+220.25 грн
65+218.05 грн
112+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.29 грн
10+212.36 грн
100+150.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF Infineon Technologies irfs4321pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+122.89 грн
1600+110.81 грн
2400+106.98 грн
4000+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+128.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+133.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+133.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+145.17 грн
500+138.15 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
242+145.17 грн
500+138.15 грн
1000+129.95 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF infineon-irfs4321-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+173.84 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+242.13 грн
10+159.77 грн
20+144.13 грн
50+126.83 грн
100+115.30 грн
200+104.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
51+278.17 грн
72+196.69 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+310.82 грн
64+220.25 грн
65+218.05 грн
112+121.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a20dd21ad
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V
на замовлення 25679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.29 грн
10+212.36 грн
100+150.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF Infineon_IRFS4321_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 85A 12mOhm 110nC Qg
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF irfs4321pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF INFN-S-A0012838268-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4321TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 85 A, 0.015 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 85A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.