IRFS4410TRLPBF

IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies


irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
на замовлення 842 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
146+156.10 грн
Мінімальне замовлення: 146
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4410TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 88A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFS4410TRLPBF за ціною від 127.27 грн до 339.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
162+189.12 грн
500+180.98 грн
Мінімальне замовлення: 162
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+327.64 грн
10+245.11 грн
100+174.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4410_DataSheet_v01_01_EN-3363435.pdf MOSFETs MOSFT 100V 96A 10mOhm 120nC
на замовлення 1092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+339.03 грн
10+250.43 грн
100+154.49 грн
800+153.76 грн
2400+127.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012838175-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 88 A, 0.008 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 88A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs4410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a29f521b0 Description: MOSFET N-CH 100V 88A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410TRLPBF IRFS4410TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfs4410pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.