Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4410ZTRLPBF
IRFS4410ZTRLPBF

IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies

irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+65.33 грн
1600+58.35 грн
2400+56.03 грн
4000+51.82 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції IRFS4410ZTRLPBF за ціною від 58.22 грн до 280.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.12 грн
10+110.62 грн
25+110.43 грн
100+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+131.12 грн
128+110.62 грн
129+110.43 грн
197+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.00 грн
101+140.42 грн
250+134.79 грн
500+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+119.73 грн
100+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4410Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.86 грн
10+128.88 грн
100+83.87 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF INFINEON IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.51 грн
10+139.79 грн
50+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+280.38 грн
53+269.70 грн
100+260.54 грн
250+243.62 грн
500+219.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRFS4410ZTRLPBF INFINEON IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+131.12 грн
10+110.62 грн
25+110.43 грн
100+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
108+131.12 грн
128+110.62 грн
129+110.43 грн
197+69.50 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
264+134.36 грн
500+121.40 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
97+147.00 грн
101+140.42 грн
250+134.79 грн
500+125.28 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 11253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.68 грн
10+119.73 грн
100+82.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF Infineon_IRFS4410Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.86 грн
10+128.88 грн
100+83.87 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+210.51 грн
10+139.79 грн
50+120.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF infineonirfs4410zdatasheetv0101en.pdf
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
51+280.38 грн
53+269.70 грн
100+260.54 грн
250+243.62 грн
500+219.43 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4410ZTRLPBF IRSDS19266-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS4410ZTRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 9000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.