IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4410ZTRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.
Інші пропозиції IRFS4410ZTRLPBF за ціною від 77.45 грн до 218.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 8816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC Qg |
на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 97A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4410ZTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 97 A, 0.0072 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 97A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : Infineon |
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=100V; Id=97 A; Pdmax=230 W; Rds=0,009 Ohm |
на замовлення 50 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| IRFS4410ZTRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 69A; Idm: 390A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 69A Pulsed drain current: 390A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |