Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFS450B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS450B | On Semiconductor |
 N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
IRFS450B | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3PF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3 Full Pack |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFS450B | onsemi |
MOSFETs 500V N-Channel B-FET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS450B |
|
Виробник: On Semiconductor
N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори
N-MOSFET; полевой; 500В; 6,1А; 96Вт; TO3PF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFS450B |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Description: MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3PF
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.