IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies


infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+77.37 грн
1600+76.60 грн
2400+75.84 грн
4000+72.39 грн
5600+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4510TRLPBF за ціною від 66.83 грн до 239.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.37 грн
1600+76.60 грн
2400+75.84 грн
4000+72.39 грн
5600+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.18 грн
1600+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.44 грн
10+139.79 грн
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+239.88 грн
85+168.25 грн
115+123.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 26400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+77.37 грн
1600+76.60 грн
2400+75.84 грн
4000+72.39 грн
5600+66.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+86.18 грн
1600+77.06 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
244+144.97 грн
500+130.83 грн
1000+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0139ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+215.44 грн
10+139.79 грн
100+102.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF infineonirfs4510datasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
59+239.88 грн
85+168.25 грн
115+123.60 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
244+144.97 грн
500+130.83 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.