Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS4510TRLPBF
IRFS4510TRLPBF

IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HexFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4510TRLPBF за ціною від 63.23 грн до 233.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.23 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.10 грн
1600+67.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.15 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+86.45 грн
500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+124.76 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+137.13 грн
106+115.22 грн
127+96.56 грн
500+90.77 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.18 грн
10+125.14 грн
100+86.45 грн
500+74.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.11 грн
10+136.77 грн
100+94.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4510_DataSheet_v01_01_EN-3363192.pdf MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.75 грн
10+150.23 грн
100+91.00 грн
800+65.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.