IRFS4510TRLPBF

IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies


infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+53.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS4510TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 61A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HexFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS4510TRLPBF за ціною від 62.95 грн до 237.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+63.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.44 грн
1600+68.32 грн
2400+67.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.40 грн
1600+62.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+70.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 36800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.70 грн
1600+73.58 грн
2400+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.53 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+87.86 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
244+125.36 грн
500+113.13 грн
1000+103.96 грн
Мінімальне замовлення: 244
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON IRSDS13318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS4510TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.0113 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HexFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0113ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+193.30 грн
10+127.19 грн
100+87.86 грн
500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+206.29 грн
86+143.50 грн
106+115.78 грн
500+97.49 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4510_DataSheet_v01_01_EN-3363192.pdf MOSFETs 100V 63A 13.9mOhm HEXFET 143W 54nC
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.58 грн
10+152.69 грн
100+92.50 грн
800+66.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IRFS4510TRLPBF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRFS4510TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4510-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 61A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.