IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4615TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4615TRLPBF за ціною від 57.86 грн до 158.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 15200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 572000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 564800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg |
на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
IRFS4615TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFS4615TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 33A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 924 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 57.86 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 61.37 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 65.43 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.10 грн |
| 2400+ | 63.60 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.54 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.62 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 74.49 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 74.49 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 572000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 83.75 грн |
| 286400+ | 76.53 грн |
| 429600+ | 71.21 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 564800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 83.75 грн |
| 286400+ | 76.53 грн |
| 429600+ | 71.21 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 93.25 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.56 грн |
| 10+ | 97.92 грн |
| 100+ | 66.75 грн |
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
MOSFETs MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC Qg
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4615TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4615TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)