IRFS4620PBF
Код товару: 74099
Виробник: IRКорпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 63,7 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 31.50 грн |
| 10+ | 30.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFS4620PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4620PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFS4620PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 78mOhms 25nC |
товару немає в наявності |