IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 35200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 56.72 грн |
| 1600+ | 50.50 грн |
| 2400+ | 48.41 грн |
| 4000+ | 44.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4620TRLPBF за ціною від 48.43 грн до 190.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 35833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFS4620TRLPBF | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs |
товару немає в наявності |