IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 61.41 грн |
| 1600+ | 54.62 грн |
| 2400+ | 52.33 грн |
| 4000+ | 46.69 грн |
| 5600+ | 45.25 грн |
| 8000+ | 43.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 144W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm.
Інші пропозиції IRFS4620TRLPBF за ціною від 50.43 грн до 186.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 23335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRFS4620TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg |
на замовлення 7328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
IRFS4620TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 64.96 грн |
| 1600+ | 64.34 грн |
| 2400+ | 62.49 грн |
| 4000+ | 58.88 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 66.46 грн |
| 1600+ | 65.82 грн |
| 2400+ | 63.92 грн |
| 4000+ | 60.22 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 69.88 грн |
| 1600+ | 64.63 грн |
| 2400+ | 60.76 грн |
| 4000+ | 55.19 грн |
| 5600+ | 50.43 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 69.88 грн |
| 1600+ | 64.63 грн |
| 2400+ | 60.76 грн |
| 4000+ | 55.19 грн |
| 5600+ | 50.43 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 71.41 грн |
| 1600+ | 66.03 грн |
| 2400+ | 62.08 грн |
| 4000+ | 56.37 грн |
| 5600+ | 51.51 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 20800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 71.49 грн |
| 1600+ | 66.11 грн |
| 2400+ | 62.16 грн |
| 4000+ | 56.45 грн |
| 5600+ | 51.58 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 79+ | 179.83 грн |
| 113+ | 124.57 грн |
| 115+ | 122.69 грн |
| 200+ | 83.81 грн |
| 500+ | 75.93 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 23335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 186.27 грн |
| 10+ | 115.26 грн |
| 100+ | 78.44 грн |
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 144W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
MOSFETs MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
на замовлення 7328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS4620TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0775 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0775ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)