
IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
на замовлення 18400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 50.03 грн |
1600+ | 48.12 грн |
2400+ | 46.29 грн |
4000+ | 42.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS4620TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS4620TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 24 A, 0.0637 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 144W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS4620TRLPBF за ціною від 49.07 грн до 211.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V |
на замовлення 19188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 5564 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 144W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0637ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFS4620TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
IRFS4620TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17A; Idm: 100A; 144W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 17A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 144W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |