Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS52N15DTRLP
IRFS52N15DTRLP

IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies

infineon-irfs52n15d-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+73.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS52N15DTRLP за ціною від 32.18 грн до 224.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+76.34 грн
21+33.94 грн
25+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1 Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+76.55 грн
1600+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+79.40 грн
2400+77.30 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.93 грн
2400+82.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+97.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : INFINEON 1308991.pdf Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+104.73 грн
250+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
94+129.95 грн
98+125.00 грн
102+120.76 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+141.33 грн
500+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
216+141.33 грн
500+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 216
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1 Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 3425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.42 грн
10+109.17 грн
100+90.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies Infineon-IRFS52N15D-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+167.94 грн
10+120.87 грн
100+88.35 грн
800+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : INFINEON 1308991.pdf Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+224.71 грн
10+139.27 грн
50+126.45 грн
100+104.73 грн
250+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEEF50A44F5B5EA&compId=IRFS52N15DTRLP.pdf?ci_sign=e6b4ae92e1807fa44abcf6d34c99a50ce0f0c20e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEEF50A44F5B5EA&compId=IRFS52N15DTRLP.pdf?ci_sign=e6b4ae92e1807fa44abcf6d34c99a50ce0f0c20e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.