Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS52N15DTRLP
IRFS52N15DTRLP

IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies

irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+75.08 грн
1600+67.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS52N15DTRLP за ціною від 72.60 грн до 253.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP INFINEON 1308991.pdf Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
750+147.86 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.73 грн
100+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP INFINEON 1308991.pdf Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.79 грн
10+130.75 грн
50+120.06 грн
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1 Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.81 грн
10+139.50 грн
100+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP IRFS52N15DTRLP Infineon Technologies Infineon_IRFS52N15D_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.27 грн
10+162.11 грн
100+97.97 грн
800+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP 1308991.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
750+147.86 грн
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP infineonirfs52n15ddatasheetv0101en.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
89+159.73 грн
100+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP 1308991.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS52N15DTRLP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 51 A, 0.032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+176.79 грн
10+130.75 грн
50+120.06 грн
100+101.55 грн
250+91.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP irfs52n15dpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a562221c1
IRFS52N15DTRLP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+222.81 грн
10+139.50 грн
100+96.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS52N15DTRLP Infineon_IRFS52N15D_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFS52N15DTRLP
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+253.27 грн
10+162.11 грн
100+97.97 грн
800+72.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.