IRFS5615TRLPBF Infineon / IR


irfs5615pbf-1227742.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
на замовлення 1234 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS5615TRLPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 144W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA, Supplier Device Package: D2PAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFS5615TRLPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS5615TRLPBF Infineon IRFS%28L%295615PBF.pdf
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBF IRFS%28L%295615PBF.pdf
Виробник: Infineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.