.jpg "IRFS7430TRL7PP")
Інші пропозиції IRFS7430TRL7PP за ціною від 84.66 грн до 303.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7430TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V |
на замовлення 6145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IRFS7430TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| IRFS7430TRL7PP | Виробник : Infineon |
MOSFET N-CH 40V 522A D2PAK-7 (TO-263-7) Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
IRFS7430TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 240A Case: D2PAK-7 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Technology: HEXFET® Power dissipation: 375W Gate charge: 305nC On-state resistance: 0.55mΩ |
товару немає в наявності |