Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7430TRLPBF
IRFS7430TRLPBF

IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+93.57 грн
1600+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS7430TRLPBF за ціною від 83.87 грн до 300.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.50 грн
10+104.75 грн
25+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.92 грн
500+109.95 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+136.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
10000+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.05 грн
10+166.23 грн
100+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRFS7430_DataSheet_v01_00_EN.pdf MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+270.54 грн
10+153.19 грн
100+100.09 грн
500+91.63 грн
800+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.96 грн
10+172.68 грн
100+129.92 грн
500+109.95 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 426A
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+217.45 грн
10+144.23 грн
25+124.71 грн
100+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+101.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+106.50 грн
10+104.75 грн
25+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+129.92 грн
500+109.95 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+136.33 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+141.44 грн
500+133.18 грн
1000+126.11 грн
10000+114.79 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+172.37 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+264.05 грн
10+166.23 грн
100+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon_IRFS7430_DataSheet_v01_00_EN.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
на замовлення 4090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+270.54 грн
10+153.19 грн
100+100.09 грн
500+91.63 грн
800+83.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+300.96 грн
10+172.68 грн
100+129.92 грн
500+109.95 грн
1000+93.04 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF Infineon-IRFS7430-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f3475015792dbfbd6000d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 426A
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+217.45 грн
10+144.23 грн
25+124.71 грн
100+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.