Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7430TRLPBF
IRFS7430TRLPBF

IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs7430-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+110.69 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm.

Інші пропозиції IRFS7430TRLPBF за ціною від 104.68 грн до 335.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+128.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
210+174.17 грн
500+164.43 грн
1000+155.90 грн
10000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfs7430-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.61 грн
9+113.94 грн
24+108.07 грн
500+107.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineon-irfs7430-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.15 грн
10+193.70 грн
50+150.44 грн
100+128.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+314.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+314.76 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineon_irfs7430_datasheet_en.pdf MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+317.87 грн
10+165.63 грн
100+127.69 грн
500+113.59 грн
800+104.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7430datasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+335.36 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF IRFS7430TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+127.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+128.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 550350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
210+174.17 грн
500+164.43 грн
1000+155.90 грн
10000+140.94 грн
Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineon-irfs7430-datasheet-en.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 426A; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 426A
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 581 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.61 грн
9+113.94 грн
24+108.07 грн
500+107.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineon-irfs7430-datasheet-en.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+306.15 грн
10+193.70 грн
50+150.44 грн
100+128.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+314.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+314.76 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineon_irfs7430_datasheet_en.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+317.87 грн
10+165.63 грн
100+127.69 грн
500+113.59 грн
800+104.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+335.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF infineonirfs7430datasheeten.pdf
IRFS7430TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+335.36 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRLPBF INFN-S-A0012827041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7430TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7430TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1200 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
на замовлення 816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.