Інші пропозиції IRFS7434TRL7PP за ціною від 100.93 грн до 357.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS7434TRL7PP | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V |
на замовлення 4292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 |
на замовлення 5449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 245W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 87 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,5mOhm; 362A; 245W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFS7434-7-GURT; IRFS7434TRL7PP; IRFS7434-7-GURT; IRFS7434-7P; IRFS7434TRL7PP-VB; IRFS743434TRL7PP TIRFS7434-7
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 100.93 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 117.90 грн |
| 1600+ | 116.73 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 118.59 грн |
| 1600+ | 117.41 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 133.07 грн |
| 1600+ | 120.13 грн |
| 2400+ | 117.09 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 312.52 грн |
| 10+ | 212.11 грн |
| 100+ | 135.38 грн |
| 800+ | 115.00 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 46+ | 312.52 грн |
| 67+ | 212.11 грн |
| 105+ | 135.38 грн |
| 800+ | 115.00 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V
на замовлення 4292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 357.23 грн |
| 10+ | 228.26 грн |
| 100+ | 162.48 грн |
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
на замовлення 5449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7434TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 362A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






