IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 63.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7434TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 362A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7434TRL7PP за ціною від 67.90 грн до 255.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 |
на замовлення 6033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10250 pF @ 25 V |
на замовлення 5995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7434TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 362 A, 1000 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 362A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Виробник : Infineon |
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 362A; 245W; D2PAK-7 IRFS7434-7-GURT IRFS7434-7 TIRFS7434-7кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRFS7434TRL7PP Код товару: 191369
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
| IRFS7434TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 229A; Idm: 1.3kA; 245W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 229A Power dissipation: 245W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 1.3kA |
товару немає в наявності |



