Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7434TRLPBF
IRFS7434TRLPBF

IRFS7434TRLPBF Infineon Technologies

irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+72.57 грн
1600+64.93 грн
2400+62.50 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7434TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS7434TRLPBF за ціною від 59.56 грн до 210.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS7434TRLPBF IRFS7434TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012814070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+83.87 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF IRFS7434TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012814070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.84 грн
10+120.88 грн
100+83.87 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF IRFS7434TRLPBF Infineon Technologies irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.13 грн
10+131.56 грн
100+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF Infineon irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF INFN-S-A0012814070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7434TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+83.87 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF INFN-S-A0012814070-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7434TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7434TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+185.84 грн
10+120.88 грн
100+83.87 грн
500+59.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc
IRFS7434TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+210.13 грн
10+131.56 грн
100+91.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7434TRLPBF irfs7434pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a730021cc
Виробник: Infineon
на замовлення 53600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.