IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 48.84 грн |
| 1600+ | 45.19 грн |
| 2400+ | 44.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7437TRLPBF за ціною від 44.57 грн до 245.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 77300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET |
на замовлення 8655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 7745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 684 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFS7437TRLPBF Код товару: 176698
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |