Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7437TRLPBF
IRFS7437TRLPBF

IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies

irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+49.70 грн
1600+47.43 грн
2400+46.88 грн
4000+43.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7437TRLPBF за ціною від 45.01 грн до 255.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+52.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+57.38 грн
14+45.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
173+70.98 грн
Мінімальне замовлення: 173
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.97 грн
250+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7437_DataSheet_v01_01_EN-3363351.pdf MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
на замовлення 7465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.75 грн
10+55.36 грн
25+48.06 грн
100+47.99 грн
250+47.60 грн
800+47.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+85.14 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.27 грн
10+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
335+91.65 грн
500+82.49 грн
1000+76.08 грн
10000+65.41 грн
Мінімальне замовлення: 335
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 0.0014 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+153.68 грн
10+110.75 грн
50+96.16 грн
100+75.97 грн
250+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+169.80 грн
8+118.78 грн
22+111.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.50 грн
3+211.60 грн
8+142.54 грн
22+133.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF
Код товару: 176698
Додати до обраних Обраний товар

irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7437-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.