Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFS7437TRLPBF

IRFS7437TRLPBF

irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
Код товару: 176698
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFS7437TRLPBF за ціною від 40.88 грн до 194.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+51.91 грн
1600+46.20 грн
2400+44.28 грн
4000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
335+105.74 грн
500+95.17 грн
1000+87.77 грн
10000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.51 грн
119+119.30 грн
143+99.00 грн
500+79.73 грн
800+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7437TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.65 грн
10+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.76 грн
10+100.03 грн
100+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+179.26 грн
10+113.48 грн
100+67.31 грн
500+50.68 грн
800+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON 1911994.pdf Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+194.06 грн
10+124.99 грн
50+105.25 грн
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF Infineon Technologies irfs7437pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+51.91 грн
1600+46.20 грн
2400+44.28 грн
4000+40.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF 1911994.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 230W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 77300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
335+105.74 грн
500+95.17 грн
1000+87.77 грн
10000+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
118+120.51 грн
119+119.30 грн
143+99.00 грн
500+79.73 грн
800+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+130.65 грн
10+114.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V
на замовлення 6214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+161.76 грн
10+100.03 грн
100+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+179.26 грн
10+113.48 грн
100+67.31 грн
500+50.68 грн
800+45.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF 1911994.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+194.06 грн
10+124.99 грн
50+105.25 грн
100+79.41 грн
250+71.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF irfs7437pbf.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.