Інші пропозиції IRFS7437TRLPBF за ціною від 40.15 грн до 190.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 77300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Power dissipation: 230W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
на замовлення 406 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 40V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 6214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 195A 1.8mOhm 150nC StrongIRFET |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7437TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 250 A, 1800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFS7437TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |