
IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 2744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
294+ | 41.56 грн |
309+ | 39.61 грн |
346+ | 35.30 грн |
359+ | 32.79 грн |
1600+ | 27.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7440TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7440TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.002 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7440TRLPBF за ціною від 41.85 грн до 154.33 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V |
на замовлення 1509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 800 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFS7440TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 208W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 208W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |