IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 117.56 грн |
| 1600+ | 105.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції IRFS7530TRL7PP за ціною від 117.90 грн до 320.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Power dissipation: 375W Gate charge: 236nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 240A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: D2PAK-7 On-state resistance: 1.4mΩ |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7530TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 112+ | 126.98 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 161.57 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 162.12 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 238.49 грн |
| 10+ | 196.16 грн |
| 25+ | 194.18 грн |
| 100+ | 160.57 грн |
| 250+ | 147.17 грн |
| 500+ | 117.90 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 238.49 грн |
| 72+ | 196.16 грн |
| 73+ | 194.18 грн |
| 100+ | 160.57 грн |
| 250+ | 147.17 грн |
| 500+ | 117.90 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
Power dissipation: 375W
Gate charge: 236nC
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 240A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.4mΩ
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.98 грн |
| 10+ | 178.23 грн |
| 25+ | 158.15 грн |
| 100+ | 133.89 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 320.65 грн |
| 10+ | 203.79 грн |
| 100+ | 144.28 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7530TRL7PP |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)