Інші пропозиції IRFS7530TRL7PP за ціною від 154.33 грн до 416.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: D2PAK-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 236nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
на замовлення 302 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V |
на замовлення 2010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 11387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK |
на замовлення 10388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFS7530TRL7PP | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm |
на замовлення 2619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 155.13 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 177.31 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 177.31 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 178.46 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 179.04 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 275.08 грн |
| 10+ | 223.82 грн |
| 25+ | 212.15 грн |
| 100+ | 194.04 грн |
| 250+ | 170.01 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 52+ | 275.08 грн |
| 64+ | 223.82 грн |
| 68+ | 212.15 грн |
| 100+ | 194.04 грн |
| 250+ | 170.01 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 302 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 300.40 грн |
| 10+ | 194.77 грн |
| 25+ | 179.09 грн |
| 50+ | 166.71 грн |
| 100+ | 154.33 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.49 грн |
| 10+ | 261.23 грн |
| 50+ | 205.61 грн |
| 100+ | 176.17 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 416.48 грн |
| 10+ | 282.13 грн |
| 25+ | 277.28 грн |
| 50+ | 254.33 грн |
| 100+ | 160.99 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 338A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 11387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 35+ | 416.48 грн |
| 51+ | 282.13 грн |
| 52+ | 277.28 грн |
| 54+ | 254.33 грн |
| 100+ | 160.99 грн |
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
MOSFETs MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
на замовлення 10388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS7530TRL7PP |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
на замовлення 2619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








