
IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
800+ | 91.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7530TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00115 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7530TRL7PP за ціною від 80.18 грн до 300.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 11433 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 236nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK-7 |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7 Drain-source voltage: 60V Drain current: 240A On-state resistance: 1.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 375W Polarisation: unipolar Gate charge: 236nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: D2PAK-7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 661 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 9218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP Код товару: 115659
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFS7530TRL7PP | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |