Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7530TRLPBF
IRFS7530TRLPBF

IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies

1998irfs7530pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+89.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 295A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7530TRLPBF за ціною від 91.74 грн до 245.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+92.56 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+98.66 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.62 грн
1600+95.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
103+119.25 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
213+143.02 грн
500+135.92 грн
1000+127.80 грн
Мінімальне замовлення: 213
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+151.49 грн
500+113.14 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7530_DataSheet_v01_01_EN-3363347.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.95 грн
10+158.67 грн
100+111.55 грн
800+102.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 7221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.37 грн
10+183.40 грн
100+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+245.34 грн
10+211.59 грн
100+151.49 грн
500+113.14 грн
1000+91.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7530-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A677F07BCF01EC&compId=irfs7530pbf.pdf?ci_sign=85e71ad5005e668b68064aa3ea1b9a48fa5ebf67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; D2PAK; StrongIRFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
On-state resistance: 2mΩ
Gate charge: 274nC
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.