Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7530TRLPBF
IRFS7530TRLPBF

IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies

irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+129.05 грн
2400+113.40 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 295A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 375W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm.

Інші пропозиції IRFS7530TRLPBF за ціною від 141.60 грн до 363.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+150.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
171+207.90 грн
500+197.27 грн
1000+185.46 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+221.59 грн
50+173.21 грн
100+147.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+363.34 грн
10+195.20 грн
50+193.29 грн
100+154.68 грн
800+141.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+363.34 грн
73+195.20 грн
74+193.29 грн
100+154.68 грн
800+141.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfr3410pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+150.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+150.35 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+151.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+155.24 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
171+207.90 грн
500+197.27 грн
1000+185.46 грн
Мінімальне замовлення: 171 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+347.16 грн
10+221.59 грн
50+173.21 грн
100+147.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+363.34 грн
10+195.20 грн
50+193.29 грн
100+154.68 грн
800+141.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+363.34 грн
73+195.20 грн
74+193.29 грн
100+154.68 грн
800+141.60 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfr3410pbf.pdf
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF INFN-S-A0012813666-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7530TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7530TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 295 A, 2000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 295A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.