IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 103.18 грн |
| 1600+ | 98.03 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 294W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Інші пропозиції IRFS7534TRLPBF за ціною від 99.42 грн до 339.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFS7534TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
на замовлення 933 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 103.45 грн |
| 1600+ | 99.42 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 103.59 грн |
| 1600+ | 99.55 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 105.55 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 106.37 грн |
| 1600+ | 105.30 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 121.61 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 195+ | 182.72 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.02 грн |
| 10+ | 183.68 грн |
| 100+ | 129.21 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 43+ | 332.22 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.58 грн |
| 10+ | 172.41 грн |
| 100+ | 136.03 грн |
| 500+ | 109.70 грн |
| IRFS7534TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 294W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






