Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7534TRLPBF
IRFS7534TRLPBF

IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies

infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+102.77 грн
1600+98.76 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS7534TRLPBF за ціною від 71.19 грн до 298.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+102.90 грн
1600+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+106.07 грн
1600+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
195+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRFS7534 IRFSL7534 IRFB7534-DS-v01_02-EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+247.51 грн
10+159.68 грн
100+97.27 грн
500+78.94 грн
800+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF INFINEON INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.65 грн
10+180.08 грн
100+125.81 грн
500+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF IRFS7534TRLPBF Infineon Technologies irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.14 грн
10+188.83 грн
100+132.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
IRFS7534TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+102.90 грн
1600+98.89 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7
IRFS7534TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+106.07 грн
1600+100.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF infineonirfs7534irfsl7534irfb7534dsen.pdf
IRFS7534TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 232A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
195+181.51 грн
Мінімальне замовлення: 195 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF Infineon-IRFS7534 IRFSL7534 IRFB7534-DS-v01_02-EN.pdf
IRFS7534TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+247.51 грн
10+159.68 грн
100+97.27 грн
500+78.94 грн
800+71.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF INFN-S-A0003071237-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7534TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7534TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 195 A, 2400 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+274.65 грн
10+180.08 грн
100+125.81 грн
500+94.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7534TRLPBF irfs7534pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3e2c629c7
IRFS7534TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10034 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 279 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+298.14 грн
10+188.83 грн
100+132.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.