IRFS7537TRLPBF

IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies


3479irfs7537pbf.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+54.97 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7537TRLPBF за ціною від 51.91 грн до 210.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.80 грн
2400+54.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+61.81 грн
2400+54.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+65.02 грн
2400+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+69.71 грн
2400+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+89.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : INFINEON irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+93.17 грн
500+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 24225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
305+103.93 грн
500+93.54 грн
1000+86.26 грн
10000+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
305+103.93 грн
500+93.54 грн
1000+86.26 грн
Мінімальне замовлення: 305
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
67+188.79 грн
97+131.48 грн
100+129.79 грн
200+122.72 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.18 грн
10+117.12 грн
100+80.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
на замовлення 831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.06 грн
10+127.65 грн
100+74.83 грн
500+70.75 грн
800+52.15 грн
2400+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : INFINEON irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+210.52 грн
10+138.85 грн
100+93.17 грн
500+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Виробник : Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.