IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 50.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 0.00275 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7537TRLPBF за ціною від 55.34 грн до 220.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7537TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 0.00275 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 27425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 0.00275 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 173A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00275ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V |
на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFS7537TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |