Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7537TRLPBF
IRFS7537TRLPBF

IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies

irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+56.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 173A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFS7537TRLPBF за ціною від 45.18 грн до 199.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.58 грн
2400+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies 3479irfs7537pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+72.67 грн
2400+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.65 грн
10+107.51 грн
100+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+67.31 грн
500+45.46 грн
800+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF INFINEON IRSD-S-A0000108830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.00 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF 3479irfs7537pbf.pdf
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+72.58 грн
2400+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF 3479irfs7537pbf.pdf
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+72.67 грн
2400+63.68 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+173.65 грн
10+107.51 грн
100+73.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF Infineon_Data_Sheet_IRFS7537PBF_DS_v01_01_EN.pdf
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.79 грн
10+111.86 грн
100+67.31 грн
500+45.46 грн
800+45.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRSD-S-A0000108830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7537TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7537TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 173 A, 3300 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 173A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+199.00 грн
10+128.28 грн
100+87.99 грн
500+60.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.