IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 77.76 грн |
| 1600+ | 75.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 160W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.
Інші пропозиції IRFS7540TRLPBF за ціною від 61.15 грн до 236.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 160W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK |
на замовлення 645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 78.06 грн |
| 1600+ | 76.04 грн |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 172+ | 82.14 грн |
| 173+ | 81.32 грн |
| 189+ | 74.54 грн |
| 250+ | 66.05 грн |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 89.23 грн |
| 10+ | 82.14 грн |
| 25+ | 81.32 грн |
| 100+ | 71.88 грн |
| 250+ | 61.15 грн |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.89 грн |
| 10+ | 112.37 грн |
| 100+ | 77.23 грн |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 236.02 грн |
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7540TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)