IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 72.20 грн |
| 1600+ | 70.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7540TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7540TRLPBF за ціною від 55.46 грн до 236.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET N CH 60V 110A D2PAK |
на замовлення 768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7540TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 5100 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFS7540TRLPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO263-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4555 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFS7540TRLPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; 160W; D2PAK; StrongIRFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 110A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 88nC Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET |
товару немає в наявності |