IRFS7730PBF Infineon Technologies


irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+471.50 грн
10+428.98 грн
50+403.12 грн
100+233.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7730PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFS7730PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7730PBF Infineon / IR irfs7730pbf-1228499.pdf MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730PBF irfs7730pbf-1228499.pdf
Виробник: Infineon / IR
MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.