IRFS7730TRL7PP


infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Код товару: 103419
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFS7730TRL7PP за ціною від 106.48 грн до 322.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+118.16 грн
1600+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+184.98 грн
500+174.44 грн
1000+165.08 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+273.49 грн
64+222.91 грн
100+218.23 грн
200+147.69 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.52 грн
10+205.02 грн
100+145.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP INFINEON INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+118.16 грн
1600+106.48 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.72 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+152.95 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
190+184.98 грн
500+174.44 грн
1000+165.08 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+273.49 грн
64+222.91 грн
100+218.23 грн
200+147.69 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+322.52 грн
10+205.02 грн
100+145.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineonirfs77307pdatasheetv0101en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 269A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP Infineon_IRFS7730_7P_DataSheet_v01_01_EN.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP INFN-S-A0012813876-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 240 A, 1700 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.