Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7730TRLPBF
IRFS7730TRLPBF

IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+83.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 97.09 грн до 306.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+105.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.62 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+122.91 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
63+194.75 грн
68+179.33 грн
100+175.27 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+214.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.58 грн
9+103.21 грн
24+97.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 0.0022 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+255.22 грн
10+234.64 грн
100+214.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN-3363268.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.56 грн
10+202.56 грн
100+143.11 грн
500+126.97 грн
800+108.62 грн
2400+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+286.37 грн
45+274.06 грн
50+263.62 грн
100+245.58 грн
250+220.49 грн
500+205.92 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 407nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.49 грн
9+128.61 грн
24+116.51 грн
500+112.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+306.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.