Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7730TRLPBF
IRFS7730TRLPBF

IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES

IRFS7730PBF.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.18 грн
10+189.62 грн
20+174.38 грн
50+154.91 грн
100+140.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 238.62 грн до 368.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+349.51 грн
43+334.49 грн
50+321.74 грн
100+299.73 грн
250+269.10 грн
500+251.31 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+365.74 грн
50+287.41 грн
100+238.62 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.73 грн
10+289.76 грн
100+240.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF irfs7730pbf.pdf
IRFS7730TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+349.51 грн
43+334.49 грн
50+321.74 грн
100+299.73 грн
250+269.10 грн
500+251.31 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF irfs7730pbf.pdf
IRFS7730TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+365.74 грн
50+287.41 грн
100+238.62 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF irfs7730pbf.pdf
IRFS7730TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+368.73 грн
10+289.76 грн
100+240.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc
IRFS7730TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.