IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 233.74 грн |
| 10+ | 187.66 грн |
| 20+ | 172.58 грн |
| 50+ | 153.31 грн |
| 100+ | 139.07 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
14-30 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 121.75 грн до 381.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET |
на замовлення 543 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFS7730TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
IRFS7730TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 543 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.11 грн |
| 10+ | 202.34 грн |
| 100+ | 141.06 грн |
| 500+ | 121.75 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 41+ | 361.99 грн |
| 43+ | 346.44 грн |
| 50+ | 333.24 грн |
| 100+ | 310.43 грн |
| 250+ | 278.71 грн |
| 500+ | 260.29 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 39+ | 378.80 грн |
| 50+ | 297.68 грн |
| 100+ | 247.14 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 381.90 грн |
| 10+ | 300.11 грн |
| 100+ | 249.15 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7730TRLPBF |
|
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)