IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 97.27 грн до 377.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7730TRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 174A Pulsed drain current: 984A Power dissipation: 375W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 407nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFS7730TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 160.20 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 174.56 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 240.95 грн |
| 10+ | 208.71 грн |
| 20+ | 191.74 грн |
| 50+ | 170.53 грн |
| 100+ | 153.56 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 347.83 грн |
| 10+ | 241.54 грн |
| 100+ | 174.09 грн |
| 500+ | 97.97 грн |
| 800+ | 97.27 грн |
| IRFS7730TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 377.45 грн |
| 40+ | 361.24 грн |
| 50+ | 347.48 грн |
| 100+ | 323.70 грн |
| 250+ | 290.63 грн |
| 500+ | 271.42 грн |





