Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7730TRLPBF
IRFS7730TRLPBF

IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs7730-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7730TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7730TRLPBF за ціною від 97.82 грн до 344.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563aad5921dc Description: MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13660 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+104.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+118.45 грн
1600+117.32 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+127.11 грн
1600+125.89 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.69 грн
3+194.89 грн
10+167.40 грн
20+155.27 грн
50+139.90 грн
100+128.58 грн
250+114.02 грн
500+103.51 грн
800+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.86 грн
10+200.88 грн
20+186.32 грн
50+167.88 грн
100+154.30 грн
250+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
41+306.76 грн
50+267.79 грн
100+168.30 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7730_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET
на замовлення 884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+321.53 грн
10+276.76 грн
100+222.03 грн
800+97.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
38+331.89 грн
40+317.64 грн
50+305.53 грн
100+284.63 грн
250+255.55 грн
500+238.65 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+344.00 грн
10+299.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7730TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 195 A, 2600 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7730pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 246A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.