Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFS7734TRLPBF
IRFS7734TRLPBF

IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies

infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+68.75 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFS7734TRLPBF за ціною від 73.52 грн до 257.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+73.52 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
155+79.18 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+82.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
133+91.82 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+96.56 грн
500+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012813639-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 0.0028 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+158.45 грн
10+127.09 грн
100+96.56 грн
500+88.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
74+166.75 грн
85+144.79 грн
100+122.82 грн
Мінімальне замовлення: 74
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS7734_DataSheet_v01_01_EN-3363126.pdf MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.23 грн
10+138.75 грн
25+89.02 грн
100+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs7734-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : Infineon Technologies irfs7734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563abda921e2 Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRLPBF IRFS7734TRLPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBF008A81DDA143&compId=IRFS7734TRLPBF.pdf?ci_sign=378c073419cbee0051b53b13427597d9b9d84be5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 180nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.