Технічний опис IRFS7734TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 75V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 183A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 290W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm.
Інші пропозиції IRFS7734TRLPBF за ціною від 91.58 грн до 256.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 290W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFS7734TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 290W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFS7734TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
на замовлення 752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFS7734TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 183A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 290W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 56 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IRFS7734TRLPBF | Infineon |
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори |
на замовлення 6 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
|
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 91.58 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 155+ | 91.58 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 133+ | 106.21 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.20 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 107.35 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 125+ | 113.55 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 138.56 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10150 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 183A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.34 грн |
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power
на замовлення 752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
Description: INFINEON - IRFS7734TRLPBF - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 75 V, 183 A, 2800 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 183A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 290W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFS7734TRLPBF |
![]() |
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Транзистори
на замовлення 6 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 199.10 грн |







