IRFSL3107PBF

IRFSL3107PBF Infineon Technologies


irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 4390 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
109+197.28 грн
Мінімальне замовлення: 109
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL3107PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFSL3107PBF за ціною від 228.77 грн до 519.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+253.17 грн
500+243.00 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs3107-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+253.17 грн
500+243.00 грн
1000+228.77 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Виробник : Infineon / IR Infineon_IRFS3107_DataSheet_v01_01_EN-1228255.pdf MOSFET MOSFT 75V 230A 3mOhm 160nC
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+519.27 грн
10+460.24 грн
100+327.38 грн
500+279.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL3107PBF - IRFSL3107 75V SINGLE N-CHANNEL HEXFET P
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+230.25 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL3107PBF IRFSL3107PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3107pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356365a922154 Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.