
IRFSL3107PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V
на замовлення 4390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
109+ | 197.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL3107PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 195A TO262, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL3107PBF за ціною від 228.77 грн до 519.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFSL3107PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFSL3107PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFSL3107PBF | Виробник : Infineon / IR |
![]() |
на замовлення 978 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
IRFSL3107PBF | Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IRFSL3107PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 140A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9370 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |