Технічний опис IRFSL3206PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL3206PBF за ціною від 82.28 грн до 245.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL3206PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC |
на замовлення 930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 900+ | 91.92 грн |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 103.37 грн |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.58 грн |
| 500+ | 159.94 грн |
| 1000+ | 147.00 грн |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 199+ | 177.58 грн |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 245.57 грн |
| 50+ | 119.10 грн |
| 100+ | 107.69 грн |
| 500+ | 82.28 грн |
| IRFSL3206PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
MOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






