IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 182+ | 167.36 грн |
| 500+ | 160.26 грн |
| 1000+ | 152.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL3207ZPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL3207ZPBF за ціною від 90.08 грн до 280.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 25600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 49600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC |
на замовлення 255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 2996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
 |
IRFSL3207ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3207ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 300W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 300W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |