IRFSL3306PBF Infineon Technologies
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 39.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL3306PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL3306PBF за ціною від 42.30 грн до 174.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFSL3306PBF | Виробник : IR |
1014+ TO262 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4520 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFSL3306PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC |
товару немає в наявності |