IRFSL3607PBF

IRFSL3607PBF Infineon / IR


irfs3607pbf-1732697.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC
на замовлення 115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL3607PBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V, Power Dissipation (Max): 140W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFSL3607PBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFSL3607PBF IRFSL3607PBF Виробник : Infineon Technologies irfs3607pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636a42b2176 Description: MOSFET N-CH 75V 80A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3070 pF @ 50 V
товар відсутній