IRFSL3806PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 729+ | 48.51 грн |
| 1000+ | 44.74 грн |
| 10000+ | 39.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL3806PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL3806PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL3806PBF | Виробник : Infineon / IR |
 MOSFET MOSFT 60V 43A 16.2mOhm 22nC |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
IRFSL3806PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 43A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |