IRFSL4010PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 153.78 грн |
| 5000+ | 150.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4010PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL4010PBF за ціною від 112.11 грн до 417.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 3170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFSL4010PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 375W Technology: HEXFET® |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFSL4010PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |