IRFSL4010PBF Infineon Technologies
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 181+ | 195.65 грн |
| 500+ | 186.22 грн |
| 1000+ | 175.62 грн |
| 10000+ | 159.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4010PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-262, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL4010PBF за ціною від 113.63 грн до 423.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFSL4010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFSL4010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 375W Technology: HEXFET® |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFSL4010PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC |
на замовлення 424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFSL4010PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V |
на замовлення 2525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFSL4010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFSL4010PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 181+ | 195.65 грн |
| 500+ | 186.22 грн |
| 1000+ | 175.62 грн |
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Technology: HEXFET®
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.13 грн |
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
MOSFETs MOSFT 100V 180A 4.7mOhm 143nC
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 331.39 грн |
| 25+ | 176.70 грн |
| 100+ | 140.26 грн |
| 500+ | 117.00 грн |
| 1000+ | 116.30 грн |
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO262
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 106A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9575 pF @ 50 V
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.96 грн |
| 50+ | 169.63 грн |
| 100+ | 154.25 грн |
| 500+ | 119.47 грн |
| 1000+ | 113.63 грн |
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 422.99 грн |
| IRFSL4010PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 423.54 грн |







