IRFSL4127PBF Infineon Technologies


irfs4127pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 254 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
254+285.98 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL4127PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Supplier Device Package: TO-262, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IRFSL4127PBF за ціною від 154.28 грн до 417.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+286.34 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3363461.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+326.68 грн
10+226.45 грн
100+169.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+417.13 грн
50+213.32 грн
100+195.14 грн
500+154.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
250+286.34 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3363461.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+326.68 грн
10+226.45 грн
100+169.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+417.13 грн
50+213.32 грн
100+195.14 грн
500+154.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.