Технічний опис IRFSL4127PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Supplier Device Package: TO-262, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFSL4127PBF за ціною від 154.28 грн до 417.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFSL4127PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL4127PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC |
на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFSL4127PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Supplier Device Package: TO-262 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Packaging: Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFSL4127PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 286.34 грн |
| IRFSL4127PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 326.68 грн |
| 10+ | 226.45 грн |
| 100+ | 169.68 грн |
| IRFSL4127PBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 417.13 грн |
| 50+ | 213.32 грн |
| 100+ | 195.14 грн |
| 500+ | 154.28 грн |





