Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > IRFSL4127PBF
IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF Infineon Technologies

infineon-irfs4127-datasheet-v01_01-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+282.04 грн
56+258.95 грн
67+216.86 грн
100+199.55 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 52 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL4127PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-262, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFSL4127PBF за ціною від 152.46 грн до 412.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+292.33 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+292.71 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3363461.pdf MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+344.33 грн
10+238.68 грн
100+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF IRFSL4127PBF Infineon Technologies irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192 Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.19 грн
50+210.80 грн
100+192.83 грн
500+152.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf
IRFSL4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
254+292.33 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf
IRFSL4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
250+292.71 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF Infineon_IRFS4127_DataSheet_v01_01_EN-3363461.pdf
IRFSL4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 76A 23.2mOhm 100nC
на замовлення 262 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+344.33 грн
10+238.68 грн
100+178.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4127PBF irfs4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535636ee7b2192
IRFSL4127PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 72A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+412.19 грн
50+210.80 грн
100+192.83 грн
500+152.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.