IRFSL4227PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFSL4227PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 62 A, 0.022 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, Dauer-Drainstrom Id: 62, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Verlustleistung Pd: 330, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 330, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: HEXFET, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).