IRFSL4310ZPBF

IRFSL4310ZPBF Infineon / IR


irfb4310zpbf-1227286.pdf Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
на замовлення 1208 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL4310ZPBF Infineon / IR

Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V.

Інші пропозиції IRFSL4310ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfb4310zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356161b4d1e2d Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V
товар відсутній
IRFSL4310ZPBF IRFSL4310ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO262
Technology: HEXFET®
Mounting: THT
Case: TO262
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
товар відсутній