IRFSL4310ZPBF INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFSL4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.0048 ohm, TO-262, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 127
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-262
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: HEXFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0048
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4310ZPBF INFINEON
Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V.
Інші пропозиції IRFSL4310ZPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4310ZPBF | Infineon / IR |
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFSL4310ZPBF |
|
Виробник: Infineon / IR
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)