IRFSL4410ZPBF

IRFSL4410ZPBF Infineon Technologies


Infineon_IRFS4410Z_DataSheet_v01_01_EN-3363451.pdf
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
на замовлення 1389 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.97 грн
10+176.27 грн
25+144.92 грн
100+124.71 грн
250+117.05 грн
500+110.78 грн
1000+93.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL4410ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції IRFSL4410ZPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Kind of package: tube
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Case: TO262
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.