IRFSL4410ZPBF

IRFSL4410ZPBF Infineon Technologies


infineon-irfs4410z-datasheet-v01_01-en.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFSL4410ZPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO262, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA, Supplier Device Package: TO-262, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50.

Інші пропозиції IRFSL4410ZPBF за ціною від 98.58 грн до 224.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : ROCHESTER ELECTRONICS irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL4410ZPBF - IRFSL4410Z - TRENCH 100V
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
191+127.09 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+135.27 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+139.29 грн
500+133.19 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfs4410z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
350+146.82 грн
Мінімальне замовлення: 350
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFS4410Z_DataSheet_v01_01_EN-3363451.pdf MOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.87 грн
10+186.13 грн
25+153.02 грн
100+131.69 грн
250+123.59 грн
500+116.97 грн
1000+98.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : Infineon Technologies irfb4410zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561644141e3a Description: MOSFET N-CH 100V 97A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4410ZPBF IRFSL4410ZPBF Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO262
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 230W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.