Технічний опис IRFSL4510PBF Infineon Technologies
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, Power dissipation: 140W, Case: TO262, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Technology: HEXFET®.
Інші пропозиції IRFSL4510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4510PBF | Infineon Technologies |
 MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFSL4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 140W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFSL4510PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFSL4510PBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.