IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: TO262
Kind of package: tube
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 140W, Polarisation: unipolar, Case: TO262, Kind of package: tube, Mounting: THT, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 64A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRFSL4510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262 |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
товару немає в наявності |
|
|
|
IRFSL4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Polarisation: unipolar Case: TO262 Kind of package: tube Mounting: THT Technology: HEXFET® Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A |
товару немає в наявності |