IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Kind of package: tube
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Drain current: 64A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Kind of package: tube, Case: TO262, Technology: HEXFET®, Kind of channel: enhanced, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 140W, Drain current: 64A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IRFSL4510PBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 61A TO262 |
товар відсутній |
|
 |
IRFSL4510PBF | Виробник : Infineon / IR |
MOSFET MOSFET, 100V, 64A, 1 50 nC Qg, TO-262 |
товар відсутній |
|
|
|
IRFSL4510PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 Mounting: THT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Kind of package: tube Case: TO262 Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 140W Drain current: 64A |
товар відсутній |