Технічний опис IRFSL7430PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFSL7430PBF за ціною від 129.27 грн до 201.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL7430PBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFSL7430PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V |
на замовлення 4360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IRFSL7430PBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 33133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IRFSL7430PBF | Infineon Technologies |
MOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| IRFSL7430PBF | ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 146 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFSL7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 110+ | 129.27 грн |
| IRFSL7430PBF |
|
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
на замовлення 4360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 161+ | 134.90 грн |
| IRFSL7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 33133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 176+ | 201.10 грн |
| 500+ | 190.51 грн |
| 1000+ | 179.93 грн |
| 10000+ | 163.30 грн |
| IRFSL7430PBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
MOSFETs HEXFET Power MOSFET 40V Single N-Channel
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFSL7430PBF |
|
Виробник: ROCHESTER ELECTRONICS
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFSL7430PBF - IRFSL7430 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSF
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)