IRFSL7437PBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 54.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7437PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFSL7437PBF за ціною від 51.72 грн до 209.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 230W Case: TO262 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.8mΩ Mounting: THT Gate charge: 225nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1800 µohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon |
|
на замовлення 460000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
IRFSL7437PBF Infineon Technologies Код товару: 212143
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 |
товару немає в наявності |