IRFSL7437PBF Infineon Technologies
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFSL7437PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 195A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 230W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IRFSL7437PBF за ціною від 56.6 грн до 191.71 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Kind of package: tube Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1kA Mounting: THT Case: TO262 |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262 Kind of package: tube Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 230W Polarisation: unipolar Gate charge: 225nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1kA Mounting: THT Case: TO262 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFSL7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 0.0014 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO262 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V |
на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon / IR | MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFSL7437PBF | Виробник : Infineon |
на замовлення 460000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |